De transistors van het siliciumcarbide (sic) zijn een nieuw type van het apparaat van de machtselektronika die snellere omschakelingssnelheden, lagere machtsverliezen, en hogere temperatuurtolerantie aanbieden in vergelijking met traditionele op silicium-gebaseerde transistors. Dit maakt tot hen ideaal voor gebruik in krachtige toepassingen zoals elektrische voertuigen, duurzame energiesystemen, en industrieel materiaal.

Een nieuwe sic transistor is onlangs ontwikkeld door onderzoekers die efficiënter en sneller is dan vorige ontwerpen. De nieuwe transistor, sic genoemd een „verticaal kanaal“ transistor, heeft een unieke structuur die voor betere controle van het elektrische veld binnen het apparaat toestaat. Dit resulteert in snellere omschakelingssnelheden en lagere machtsverliezen, wat op zijn beurt tot de efficiëntere systemen van de machtselektronika leidt.

De verticale kanaaltransistor zou sic moeten een brede waaier van toepassingen hebben, die in elektrische voertuigen, datacentra, en duurzame energiesystemen omvatten. Het zou ook moeten een belangrijke rol in de ontwikkeling van de elektronikasystemen van de volgende-generatiemacht spelen die efficiënter, compact, en betrouwbaar zijn dan huidige technologieën.